[16p-A21-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-A21-2] In-plane distribution of resonance and emission wavelengths in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers

〇Naoki Shibahara¹, Mitsuki Yanagawa¹, Taichi Nishikawa¹, Shoki Arakawa¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

VCSEL,Emission wavelength,In-plane distribution

GaN 面発光レーザ（VCSEL）の電力変換効率として 20％以上 [1]が報告されており、高性能 な VCSEL 実現には、DBR 中心波長、共振波長、活性層の発光ピーク波長の高精度制御が必要 である。我々はその場反射率スペクトル測定により、DBR 中心波長と共振波長の高精度波長 制御を報告した [2,3] 。残された発光ピーク波長制御に関して、共振器内に配置された活性層で は、共振器の影響を受けて、発光ピーク波長の同定が容易ではない。本研究では、高精度な 波長制御実現に向けて、VCSEL 作製途中の上部 DBR が無い構造を用いて、発光ピーク波長の 測定を試み、VCSEL ウエハでの上記三つの波長面内分布を評価した。