講演情報

[16p-A21-2]GaN 面発光レーザの共振波長および発光ピーク波長の面内分布

〇柴原 直暉1、柳川 光樹1、西川 大智1、荒川 将輝1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大 理工)

キーワード:

面発光レーザ、発光ピーク波長、面内分布

GaN 面発光レーザ(VCSEL)の電力変換効率として 20%以上 [1]が報告されており、高性能 な VCSEL 実現には、DBR 中心波長、共振波長、活性層の発光ピーク波長の高精度制御が必要 である。我々はその場反射率スペクトル測定により、DBR 中心波長と共振波長の高精度波長 制御を報告した [2,3] 。残された発光ピーク波長制御に関して、共振器内に配置された活性層で は、共振器の影響を受けて、発光ピーク波長の同定が容易ではない。本研究では、高精度な 波長制御実現に向けて、VCSEL 作製途中の上部 DBR が無い構造を用いて、発光ピーク波長の 測定を試み、VCSEL ウエハでの上記三つの波長面内分布を評価した。

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