[16p-A21-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[16p-A21-4] Proposal and prototype of high reflective DBRs loaded membrane InGaN based laser structure.

〇Shuya Sato¹, Yuki Takahashi¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Semiconductor Research Inst.)

Keywords:

GaN,DBR,Membrane

超低閾値動作が期待できる高反射DBR装荷メンブレン型InGaN系レーザデバイスの構造提案とその試作を報告する。空気/p-GaN/活性層/n-GaN/AlInN(300nm)/GaN構造を用い、共振器の両端にはHEATE法によるGaNエッチングにより高反射率が期待される空気/GaN DBRを形成する。光閉じ込め係数ξを向上させるため、n-GaN下部のAlInN層を硝酸エッチングにより共振器を支持するように一部を残して選択除去し、提案するレーザ構造の試作に成功した。