[16p-A21-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-A21-8] Fabrication of vertical UV-B laser diodes using a substrate exfoliation technique with pressurized and heated water

〇YUSUKE SASAKI¹, Yoshinori Imoto¹, Ryoya Yamada¹, Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Shundai Maruyama¹, Shogo Karino¹, Sho Iwayama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

semiconductor laser

本グループでは、サファイア基板上に形成したAlNピラー上にAlGaNを3次元成長させることで格子緩和したAlGaNにて、UV-Bレーザーダイオード(LD)の室温パルス発振を報告した。今後、UV-BLDの高出力化は重要な課題であり、その実現には、素子サイズを大きくしても電流を均一に注入できることや良好な放熱特性が期待される縦型UV-BLDの実現が重要である。本報告では、加圧・加熱水による基板剥離技術を用いた縦型UV-BLDを作製し、室温パルス発振を確認した。