[16p-A21-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[16p-A21-8] 加圧・加熱水による基板剥離技術を用いた縦型UV-Bレーザーダイオードの作製

〇佐々木 祐輔¹、井本 圭紀¹、山田 凌矢¹、齋藤 巧夢¹、三宅 倫太郎¹、丸山 竣大¹、狩野 祥吾¹、岩山 章¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、三宅 秀人² (1.名城大理工、2.三重大院工)

キーワード：

半導体レーザ

本グループでは、サファイア基板上に形成したAlNピラー上にAlGaNを3次元成長させることで格子緩和したAlGaNにて、UV-Bレーザーダイオード(LD)の室温パルス発振を報告した。今後、UV-BLDの高出力化は重要な課題であり、その実現には、素子サイズを大きくしても電流を均一に注入できることや良好な放熱特性が期待される縦型UV-BLDの実現が重要である。本報告では、加圧・加熱水による基板剥離技術を用いた縦型UV-BLDを作製し、室温パルス発振を確認した。