[16p-A21-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-A21-9] Fabrication of thin film LEDs using sapphire substrate exfoliation technique by pressurized heated water

〇Shogo Karino¹, Yoshinori Imoto¹, Ryoya Yamada¹, Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Yusuke Sasaki¹, Shundai Maruyama¹, Sho Iwayama¹, Hideto Miyake², Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

semiconductor

UV-B 領域のLED は、農業、紫外線硬化、医療などへの応用が期待されている。従来の水
銀ベースのUV ランプに比べて、環境に優しく、AlGaN 系のUV-LED の実用化に向けて光
取り出し効率の向上が課題とされている。本報告では、フリップチップ構造を採用し、加熱
加圧水によるサファイア基板の剥離を行いThin Film LED を作製した。その結果について報
告する。