[16p-A22-1~22] CS.13 Code-sharing Session of 13.7 & 15.4

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-A22-11] Investigation of Charge Generated at Surface of p-type GaN

〇Yining Jiao¹, Masanobu Takahashi¹, Kyouta Shimazaki¹, Taketomo Sato¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ)

Keywords:

p-GaN

窒化ガリウム(GaN)は、その高い破壊電界、高い電子飽和速度、高い電子移動度から、次世代の高出力デバイスの材料として期待されている。MOSFETはGaNの利点を十分に引き出すことができる。高性能化のGaN MOSFETデバイスが報告されているが、p型GaN (p-GaN)表面近傍の欠陥を制御することにより、さらに電子移動度を高める可能性がある。本研究では、800度キャップレスアニールまたはSiO₂ キャップアニールの後、p-GaN層上にMOSダイオードを作製し、電気的特性と作製プロセスの各段階で行ったX線光電子分光法(XPS)結果をもとに、表面近傍欠陥による電荷について調べた結果を報告する。