[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[16p-A22-11] p型GaN表面に発生する電荷についての検討

〇焦 一寧¹、高橋 尚伸¹、島崎 喬大¹、佐藤 威友¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

p型ＧaN

窒化ガリウム(GaN)は、その高い破壊電界、高い電子飽和速度、高い電子移動度から、次世代の高出力デバイスの材料として期待されている。MOSFETはGaNの利点を十分に引き出すことができる。高性能化のGaN MOSFETデバイスが報告されているが、p型GaN (p-GaN)表面近傍の欠陥を制御することにより、さらに電子移動度を高める可能性がある。本研究では、800度キャップレスアニールまたはSiO₂ キャップアニールの後、p-GaN層上にMOSダイオードを作製し、電気的特性と作製プロセスの各段階で行ったX線光電子分光法(XPS)結果をもとに、表面近傍欠陥による電荷について調べた結果を報告する。