[16p-A22-1~22] CS.13 Code-sharing Session of 13.7 & 15.4

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-A22-16] Demonstration of Pseudomorphic AlN/GaN HEMT Operation on AlN Substrate Using MOVPE Method

〇Taegi Lee¹, Akira Yoshikawa^1,3, Takeru Kumabe², Sho Sugiyama¹, Manabu Arai³, Jun Suda^2,3, Hiroshi Amano^2,3 (1.Asahi Kasei Corp., 2.Nagoya Univ., 3.IMaSS)

Keywords:

aluminum nitride,HEMT,MOVPE

近年, 次世代の電子デバイス材料として6.0 eVのワイドバンドギャップと340 W/mKの高い熱伝導率を有するAlNに注目が集まっている. 過去には緩和系AlGaN/GaN on AlNが報告されてきたが, 耐圧の観点から格子整合系AlN/GaN on AlNへの期待が大きい. 我々のグループでは格子整合系のGaN on AlNをMOVPE法により実現することに成功した. 本研究ではMOVPE法により作製したAlN/GaN on AlNにおいて, HEMTの動作実証に成功したので報告する.