[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[16p-A22-16] MOVPE 法で成膜したAlN 基板上の格子整合AlN/GaN HEMT の動作実証

〇李 太起¹、吉川 陽^1,3、隈部 岳瑠²、杉山 聖¹、新井 学³、須田 淳^2,3、天野 浩^2,3 (1.旭化成、2.名大院工、3.名大IMaSS)

キーワード：

窒化アルミニウム、HEMT、MOVPE

近年, 次世代の電子デバイス材料として6.0 eVのワイドバンドギャップと340 W/mKの高い熱伝導率を有するAlNに注目が集まっている. 過去には緩和系AlGaN/GaN on AlNが報告されてきたが, 耐圧の観点から格子整合系AlN/GaN on AlNへの期待が大きい. 我々のグループでは格子整合系のGaN on AlNをMOVPE法により実現することに成功した. 本研究ではMOVPE法により作製したAlN/GaN on AlNにおいて, HEMTの動作実証に成功したので報告する.