講演情報
[16p-A22-16]MOVPE 法で成膜したAlN 基板上の格子整合AlN/GaN HEMT の動作実証
〇李 太起1、吉川 陽1,3、隈部 岳瑠2、杉山 聖1、新井 学3、須田 淳2,3、天野 浩2,3 (1.旭化成、2.名大院工、3.名大IMaSS)
キーワード：
窒化アルミニウム、HEMT、MOVPE
近年, 次世代の電子デバイス材料として6.0 eVのワイドバンドギャップと340 W/mKの高い熱伝導率を有するAlNに注目が集まっている. 過去には緩和系AlGaN/GaN on AlNが報告されてきたが, 耐圧の観点から格子整合系AlN/GaN on AlNへの期待が大きい. 我々のグループでは格子整合系のGaN on AlNをMOVPE法により実現することに成功した. 本研究ではMOVPE法により作製したAlN/GaN on AlNにおいて, HEMTの動作実証に成功したので報告する.
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