[16p-A22-1~22] CS.13 Code-sharing Session of 13.7 & 15.4

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-A22-18] Confirmation of avalanche brakdown in a vertical PND structure with GaN/AlGaN/GaN double heterostructure

〇Eito Kokubo¹, Hirotaka Watanabe², Manato Deki³, Atsushi Tanaka², Shugo Nitta², Yoshio Honda^2,3,4, Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.D center Nagoya Univ., 4.IAR Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN,Double heterostructure,Avalanche breakdown

GaN/AlGaN/GaNダブルヘテロ構造を備えた縦型ダイオードを作製し，その電気特性について調べた．逆方向電流電圧特性を測定した結果，ダイオードの絶縁破壊電圧は約170 Vで複数回測定しても変化しなかった．絶縁破壊電圧は温度に対して線形に上昇しており，その温度係数はα=2.6x10^-4 K^-1であった．この結果から作製したダイオードの絶縁破壊機構がアバランシェ降伏であることが示された．