講演情報
[16p-A22-18]GaN/AlGaN/GaNダブルヘテロ構造の縦型PND構造におけるアバランシェ降伏の確認
〇小久保 瑛斗1、渡邉 浩崇2、出来 真斗3、田中 敦之2、新田 州吾2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大高等研究院)
キーワード：
窒化ガリウム、ダブルヘテロ構造、アバランシェ破壊
GaN/AlGaN/GaNダブルヘテロ構造を備えた縦型ダイオードを作製し，その電気特性について調べた．逆方向電流電圧特性を測定した結果，ダイオードの絶縁破壊電圧は約170 Vで複数回測定しても変化しなかった．絶縁破壊電圧は温度に対して線形に上昇しており，その温度係数はα=2.6x10-4 K-1であった．この結果から作製したダイオードの絶縁破壊機構がアバランシェ降伏であることが示された．
コメント
コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン