[16p-A22-1~22] CS.13 Code-sharing Session of 13.7 & 15.4

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-A22-20] Temperature Dependence of Drift Velocity of 2DEG in AlGaN/GaN Heterostructure

〇Yusuke Wakamoto¹, Takahiko Kawahara², Shigeki Yoshida², Kozo Makiyama², Ken Nakata², Takuya Maeda¹ (1.UTokyo, 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd)

Keywords:

drift velocity,temperature dependence,GaN

本研究では，AlGaN/GaNヘテロ接合に誘起される二次元電子ガスのドリフト速度の温度依存性を評価した．再成長n⁺-GaN コンタクト層を形成したTLMパターンを形成し， 25 Kから573 Kの温度範囲においてパルス電流-電圧測定を行うことで温度ごとの速度-電界特性を得た．高電界下におけるドリフト速度は，低温領域では一定であるが高温になるにつれてわずかな割合で減少することが分かった．