講演情報
[16p-A22-20]AlGaN/GaN二次元電子ガスにおけるドリフト速度-電界特性の温度依存性
〇若本 裕介1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社)
キーワード：
ドリフト速度、温度依存性、GaN
本研究では，AlGaN/GaNヘテロ接合に誘起される二次元電子ガスのドリフト速度の温度依存性を評価した．再成長n+-GaN コンタクト層を形成したTLMパターンを形成し， 25 Kから573 Kの温度範囲においてパルス電流-電圧測定を行うことで温度ごとの速度-電界特性を得た．高電界下におけるドリフト速度は，低温領域では一定であるが高温になるにつれてわずかな割合で減少することが分かった．
コメント
コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン