[16p-A22-1~22] CS.13 Code-sharing Session of 13.7 & 15.4

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[16p-A22-3] Improvement of MOVPE growth for N-polar GaN coherent growth on AlN

〇(M2)Itsuki Furuhashi¹, Markus Pristovsek², Xu Yang² (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

N-polar

N極性面を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)はより高性能な高周波デバイスとして期待される一方、結晶成長の課題が存在する。
今回の発表では、電気特性の向上に向けて実施した不純物濃度を低減するようなGaN/AlN界面及びGaN、AlN層の成膜条件とその結果について報告する。