[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

13:30 〜 13:45

[16p-A22-3] N極性AlN上のGaNのコヒーレント成長に向けたMOVPE成長の条件改善

〇(M2)古橋 樹¹、プリストフセク マーコス²、楊 旭² (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

N極性

N極性面を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)はより高性能な高周波デバイスとして期待される一方、結晶成長の課題が存在する。
今回の発表では、電気特性の向上に向けて実施した不純物濃度を低減するようなGaN/AlN界面及びGaN、AlN層の成膜条件とその結果について報告する。