[16p-A22-1~22] CS.13 Code-sharing Session of 13.7 & 15.4

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[16p-A22-8] [The 56th Young Scientist Presentation Award Speech] Reduction of Compensating Donor Concentration of Implanted and Diffusion Regions by Sequential N-ion Implantation in Mg-implanted p-GaN

〇Kensuke Sumida¹, Keita Kataoka², Tetsuo Narita², Masahiro Horita^1,3, Tetsu Kachi^1,3, Jun Suda^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.Toyota Central R&D Labs., Inc., 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

GaN,Ultra-high-pressure annealing,Mg ion implantation

Mgイオン注入技術の確立に向けて、Mgイオン注入（Mg-I/I）したGaN中の補償ドナー濃度（N_d）の低減は重要である。我々は、Nイオン連続注入により、Mgイオン注入したp-GaN中のN_dが低減することを報告したが、N_d低減におけるアニール条件および深さ依存性は報告されていない。本発表では、Mg+Nイオン注入したGaNにおける、注入領域および拡散領域のアクセプタ濃度とN_dのアニール時間依存性を報告する。