[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

14:45 〜 15:00

[16p-A22-8] [第56回講演奨励賞受賞記念講演] Mgイオン注入p-GaNにおける注入領域および拡散領域のNイオン連続注入による補償ドナー濃度低減効果

〇角田 健輔¹、片岡 恵太²、成田 哲生²、堀田 昌宏^1,3、加地 徹^1,3、須田 淳^1,3 (1.名大院工、2.豊田中研、3.名大未来研)

キーワード：

窒化ガリウム、超高圧アニール、Mgイオン注入

Mgイオン注入技術の確立に向けて、Mgイオン注入（Mg-I/I）したGaN中の補償ドナー濃度（N_d）の低減は重要である。我々は、Nイオン連続注入により、Mgイオン注入したp-GaN中のN_dが低減することを報告したが、N_d低減におけるアニール条件および深さ依存性は報告されていない。本発表では、Mg+Nイオン注入したGaNにおける、注入領域および拡散領域のアクセプタ濃度とN_dのアニール時間依存性を報告する。