[16p-A23-1~6] Single crystal thin films epitaxially grown on silicon substrates and their device applications

2:00 PM - 2:30 PM JST(5:00 AM - 5:30 AM UTC)

[16p-A23-2] Formation of Ferroelectric Epitaxial Capacitors on Si by Sputtering Process

〇Takashi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro. Univ.,)

Keywords:

adhesive layer,Nitride buffer layer,Combinatorial deposition

本研究では、バッファ層から強誘電体薄膜まですべて同一のスパッタ装置内で製膜し、エピタキシャル成長させることに取り組んだ。密着層の導入による剥離の解消、基板温度や組成を試料面内で傾斜させたコンビナトリアル製膜、および得られた試料の結晶構造、強誘電特性、圧電特性を包括的に示し、エピタキシャル成長の効果について議論する。