[16p-A23-1~6] Si基板へのエピタキシャル成⻑単結晶薄膜とデバイス応用

14:00 〜 14:30

[16p-A23-2] スパッタリング単独プロセスによるSi上強誘電体エピタキシャルキャパシタの形成

〇吉村 武¹ (1.大阪公立大院工)

キーワード：

密着層、窒化物バッファ層、コンビナトリアル製膜

本研究では、バッファ層から強誘電体薄膜まですべて同一のスパッタ装置内で製膜し、エピタキシャル成長させることに取り組んだ。密着層の導入による剥離の解消、基板温度や組成を試料面内で傾斜させたコンビナトリアル製膜、および得られた試料の結晶構造、強誘電特性、圧電特性を包括的に示し、エピタキシャル成長の効果について議論する。