Presentation Information
[16p-B1-10]Study on Selective Dry Etching of Epitaxially Grown Si0.7Ge0.3 and Si using H2 Diluted CF4
〇(M1)Kotaro Ozaki1, Noriharu Takada2, Takayoshi Tsutsumi2, Kenji Ishikawa2, Yuji Yamamoto3, Wei-Chen Wen3, Katsunori Makihara1 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. cLPS, 3.IHP)
Keywords:
Si,SiGe,Selective Dry Etching
GAA-FETはSiGe/Si積層膜をエピタキシャル成長した後、SiGe層を選択的に除去することでSi薄膜層を残すプロセスで実現しているが、高選択比および低ダメージを両立するエッチングプロセスは確立されていない。本研究では、c-Si(100)基板上にSi0.7Ge0.3およびSi薄膜をエピタキシャル成長し、H2希釈CF4ガスによるドライエッチングを行うことで選択性と表面ラフネスへの影響を評価した。
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