[16p-B1-1~14] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[16p-B1-10] Study on Selective Dry Etching of Epitaxially Grown Si_0.7Ge_0.3 and Si using H₂ Diluted CF₄

〇(M1)Kotaro Ozaki¹, Noriharu Takada², Takayoshi Tsutsumi², Kenji Ishikawa², Yuji Yamamoto³, Wei-Chen Wen³, Katsunori Makihara¹ (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. cLPS, 3.IHP)

Keywords:

Si,SiGe,Selective Dry Etching

GAA-FETはSiGe/Si積層膜をエピタキシャル成長した後、SiGe層を選択的に除去することでSi薄膜層を残すプロセスで実現しているが、高選択比および低ダメージを両立するエッチングプロセスは確立されていない。本研究では、c-Si(100)基板上にSi_0.7Ge_0.3およびSi薄膜をエピタキシャル成長し、H₂希釈CF₄ガスによるドライエッチングを行うことで選択性と表面ラフネスへの影響を評価した。