[16p-B1-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

15:30 〜 15:45

[16p-B1-10] エピタキシャル成長した Si_0.7Ge_0.3 および Si 薄膜におけるH₂ 希釈 CF₄ ガスによるドライエッチングの選択性評価

〇(M1)尾崎 孝太朗¹、高田 昇治²、堤 隆嘉²、石川 健治²、Yamamoto Yuji³、Wen Wei-Chen³、牧原 克典¹ (1.名大院工、2.名大低温プラズマ、3.IHP)

キーワード：

Si、SiGe、選択的ドライエッチング

GAA-FETはSiGe/Si積層膜をエピタキシャル成長した後、SiGe層を選択的に除去することでSi薄膜層を残すプロセスで実現しているが、高選択比および低ダメージを両立するエッチングプロセスは確立されていない。本研究では、c-Si(100)基板上にSi_0.7Ge_0.3およびSi薄膜をエピタキシャル成長し、H₂希釈CF₄ガスによるドライエッチングを行うことで選択性と表面ラフネスへの影響を評価した。