[16p-B1-1~14] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[16p-B1-11] Ni-silicide Formation and Crystalline Phase Control

〇Shun Tanida¹, Noriyuki Taoka², Katsunori Makihara¹ (1.Nagoya Univ., 2.Aichi Inst. Tech.)

Keywords:

silicide,thin film

SiO₂上の金属超薄膜(MNS)は、分子センサへの応用に適しており、近年、注目を集めている。低キャリア密度の金属をMNSに用いることで、分子センサの感度を向上させられることが期待されている。そこで、我々はNiシリサイドに着目した。Niシリサイドのキャリア密度は、Siの含有量によって異なる。本研究では、SiO₂上にNi超薄膜を形成後、SiH₄を照射し、Niシリサイド超薄膜の形成およびその結晶相制御を試みた。