[16p-B1-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

16:00 〜 16:15

[16p-B1-11] Ni超薄膜へのSiH₄照射によるNiシリサイド形成と結晶相制御

〇谷田 駿¹、田岡 紀之²、牧原 克典¹ (1.名大院工、2.愛知工大)

キーワード：

シリサイド、薄膜

SiO₂上の金属超薄膜(MNS)は、分子センサへの応用に適しており、近年、注目を集めている。低キャリア密度の金属をMNSに用いることで、分子センサの感度を向上させられることが期待されている。そこで、我々はNiシリサイドに着目した。Niシリサイドのキャリア密度は、Siの含有量によって異なる。本研究では、SiO₂上にNi超薄膜を形成後、SiH₄を照射し、Niシリサイド超薄膜の形成およびその結晶相制御を試みた。