[16p-B1-1~14] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-B1-12] Evaluation of Interstitial Si Diffusion generated by Si Trench Processing using Low Temperature Photoluminescence Spectroscopy

〇Ryota Fujimori¹, Yuta Ito¹, Ryo Yokogawa^1,2, Atsushi Ogura^1,2, Kazuto Kawakatsu³, Nobuyuki Kuboi³, Koichiro Saga³, Yuto Iwamoto³ (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:

Si Trench,Photoluminescence,Interstitial Si

3次元立体構造の半導体に用いられるトレンチ技術において、高アスペクト比実現に向けてプラズマエッチングによるトレンチ形成が必要不可欠であるが、Si基板へのトレンチ形成プロセスにおける格子間Siの生成が懸念されている。この格子間Siの振る舞いの理解は重要な課題であるが、詳細な拡散挙動は明らかになっていないため、PL分光法を用いてトレンチ形成プロセスにより生じる格子間Siの拡散挙動についての実測評価を試みた。