[16p-B1-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-B1-12] 低温PL分光法によるSiトレンチ加工で生成する格子間Siの拡散評価

〇藤森 涼太¹、伊藤 佑太¹、横川 凌^1,2、小椋 厚志^1,2、川勝 一斗³、久保井 信行³、嵯峨 幸一郎³、岩元 勇人³ (1.明治大理工、2.明大MREL、3.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：

Siトレンチ、フォトルミネッセンス、格子間Si

3次元立体構造の半導体に用いられるトレンチ技術において、高アスペクト比実現に向けてプラズマエッチングによるトレンチ形成が必要不可欠であるが、Si基板へのトレンチ形成プロセスにおける格子間Siの生成が懸念されている。この格子間Siの振る舞いの理解は重要な課題であるが、詳細な拡散挙動は明らかになっていないため、PL分光法を用いてトレンチ形成プロセスにより生じる格子間Siの拡散挙動についての実測評価を試みた。