Presentation Information
[16p-B1-8]Spectroscopic ellipsometry characterization of SiGe/Si super lattice toward building of 300 mm GAAFET pilot-line
〇Naoto Kumagai1, Akio Fukushima1, Chia-Tsong Chen1, Kazuya Uejima1, Toshifumi Irisawa1, Yoshihiro Hayashi1 (1.AIST)
Keywords:
SiGe/Si superlattice,GAAFET,spectroscopic ellipsometry
次世代先端ロジックデバイスに期待されるGAAFETのプロセスにおいて、従来のFETと大きく異なる点の一つが、SiGe/Si超格子エピプロセスの導入である。その超格子構造のIn-line評価では光学膜厚とTEM膜厚の相関を把握する事は重要である。産総研GAAFETパイロットライン構築に向け、SiGe膜厚の異なる超格子構造のエピを行い、分光エリプソメトリ及びTEMにより評価し、両者の膜厚に線形な相関を得たことから、光学的にTEM換算膜厚の評価が可能になった
Comment
To browse or post comments, you must log in.Log in