講演情報
[16p-B1-8]300 mm GAAFETパイロットライン構築に向けたSiGe/Si超格子の分光エリプソメトリ評価
〇熊谷 直人1、福島 章雄1、陳 家聰1、上嶋 和也1、入沢 寿史1、林 善宏1 (1.産総研)
キーワード：
SiGe/Si超格子、GAAFET、分光エリプソメトリ
次世代先端ロジックデバイスに期待されるGAAFETのプロセスにおいて、従来のFETと大きく異なる点の一つが、SiGe/Si超格子エピプロセスの導入である。その超格子構造のIn-line評価では光学膜厚とTEM膜厚の相関を把握する事は重要である。産総研GAAFETパイロットライン構築に向け、SiGe膜厚の異なる超格子構造のエピを行い、分光エリプソメトリ及びTEMにより評価し、両者の膜厚に線形な相関を得たことから、光学的にTEM換算膜厚の評価が可能になった
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