[16p-B1-1~14] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[16p-B1-9] Mechanisms Controlling the Effective Work Function of TiN/TiAlC Metal Gates for Advanced Gate-all-around CMOS

〇Kenzo Manabe¹, Kazuya Uejima¹, Hiroyuki Ota¹, Yukinori Morita¹, Toshifumi Irisawa¹, Yoshihiro Hayashi¹ (1.SFRC, AIST)

Keywords:

high-k gate dielectric,metal gate,work function

本研究では、high-k絶縁膜に接しEWF決定に最も影響を与えるTiNに着目しTiN/TiAlC電極でのEWF決定要因を調査した。UPS・XPS測定より、TiN（O）仕事関数は膜中酸素濃度が2 atom%の場合3.8 eVであることが見出された。また、TiN（O）仕事関数は膜中酸素濃度増大に伴い約0.8 eV増加した。上記結果に基づきTiN/TiAlC電極でのEWF決定モデルを提案する。