[16p-B1-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

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[16p-B1-9] Gate-all-around CMOS用TiN/TiAlC Gate電極の実効仕事関数の制御メカニズム

〇間部 謙三¹、上嶋 和也¹、太田 裕之¹、森田 行則¹、入沢 寿史¹、林 喜宏¹ (1.産総研　SFRC)

キーワード：

高誘電率ゲート絶縁膜、メタルゲート、仕事関数

本研究では、high-k絶縁膜に接しEWF決定に最も影響を与えるTiNに着目しTiN/TiAlC電極でのEWF決定要因を調査した。UPS・XPS測定より、TiN（O）仕事関数は膜中酸素濃度が2 atom%の場合3.8 eVであることが見出された。また、TiN（O）仕事関数は膜中酸素濃度増大に伴い約0.8 eV増加した。上記結果に基づきTiN/TiAlC電極でのEWF決定モデルを提案する。