[16p-B2-1~15] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-B2-10] GeO₂ Quantum Dots Fabricated by Hot-Ge-Ion Implantation into SiO₂ Layer

〇(M2)Hayato Ban¹, Tomohisa Mizuno¹ (1.Kanagawa Univ.)

Keywords:

semiconductor,Quantum dot

本稿ではSi酸化膜中へGeをホットイオン注入法によりGeO₂が形成されUV領域ダブルピークを持つPL発光を確認したため報告する