[16p-B2-1~15] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[16p-B2-10] 熱酸化膜中へのGeホットイオン注入によるGeO₂量子ドットの形成

〇(M2)坂 颯人¹、水野 智久¹ (1.神奈川大学理)

キーワード：

半導体、量子ドット

本稿ではSi酸化膜中へGeをホットイオン注入法によりGeO₂が形成されUV領域ダブルピークを持つPL発光を確認したため報告する