[16p-B2-1~15] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-B2-9] Enhancement of PL Emission from Si Quantum Dots Using Hot N⁺ Ion Implantation

〇Kazumasa Yonetsu¹, Tomohisa Mizuno¹ (1.Kanagawa Univ.)

Keywords:

semiconductor,Quantum dot

本稿では Si-QD へのホット N⁺イオン注入 法による Si ダングリングボンの低減化によ る PL 強度の向上効果を検討したので報告す る.