[16p-B2-1~15] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[16p-B2-9] ホット𝐍 ⁺イオン注入法による Si 量子ドットの発光強度向上効果

〇米津 和正¹、水野 智久¹ (1.神奈川大学理)

キーワード：

半導体、量子ドット

本稿では Si-QD へのホット N⁺イオン注入 法による Si ダングリングボンの低減化によ る PL 強度の向上効果を検討したので報告す る.