[16p-C302-1~18] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[16p-C302-9] Chemical Vapor Deposition of Cu on Ta using CuI-precursor

〇Yu Miyamoto¹, Satoshi Yamauchi¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:

Metallization process,Area-selective Cu-deposition,Chemical vapor deposition

これまでに我々は、ヨウ化銅（Ⅰ）（CuI）を真空中で 300 ^oC 程度に加熱し昇華させ 基板表面上に供給することで、400 ^oC 以下で金属上へのみ選択的に Cu を形成することを見出し、 Ru 上や Cu-line 上での Cu 堆積形態の調査・検討、および微細加工パターン上への積み上げ配線 プロセスを提案した。本提案プロセスでは RIE による微細加工可能なバリアメタルの適用が 望ましいことから、今回は、微細加工可能な Cu バリアメタルである Ta 上での成長条件に対する Cu 堆積形態について調査した結果を報告する。