[16p-C302-1~18] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

15:45 〜 16:00

[16p-C302-9] ヨウ化銅（I）を原料とする CVD 法による Ta 上への Cu 堆積

〇宮本 裕¹、山内 智¹ (1.茨城大工)

キーワード：

配線形成技術、銅の選択形成、化学気相堆積法

これまでに我々は、ヨウ化銅（Ⅰ）（CuI）を真空中で 300 ^oC 程度に加熱し昇華させ 基板表面上に供給することで、400 ^oC 以下で金属上へのみ選択的に Cu を形成することを見出し、 Ru 上や Cu-line 上での Cu 堆積形態の調査・検討、および微細加工パターン上への積み上げ配線 プロセスを提案した。本提案プロセスでは RIE による微細加工可能なバリアメタルの適用が 望ましいことから、今回は、微細加工可能な Cu バリアメタルである Ta 上での成長条件に対する Cu 堆積形態について調査した結果を報告する。