[16p-C32-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[16p-C32-11] Phase change behavior of Mo-N semiconductor thin film

〇Yusuke Hatooka¹, Yi Shuang², Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1.Tohoku Univ. (Eng.), 2.Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:

Phase change Material,Phase change memory,Nitride thin film

相変化材料（Phase Change Materials : PCM）は、アモルファス相と結晶相の間で可逆的な変化を示す材料である。相変化メモリ（Phase Change Random Access Memory：PCRAM）はPCMを用いたデバイスであり、その優れた性能から次世代メモリとして注目されている。
PCRAMの短所として、スイッチングに要するエネルギー消費量が大きい点が挙げられる。
本研究では、低動作エネルギーのPCRAMの創出を目指し、Mo-Nの相変化挙動を調査することを目的とする。