[16p-C32-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

16:15 〜 16:30

[16p-C32-11] Mo-N半導体薄膜の相変化挙動

〇鳩岡 裕介¹、双 逸²、安藤 大輔¹、須藤 祐司^1,2 (1.東北大工、2.東北大工(AIMR))

キーワード：

相変化材料、相変化メモリ、窒化物薄膜

相変化材料（Phase Change Materials : PCM）は、アモルファス相と結晶相の間で可逆的な変化を示す材料である。相変化メモリ（Phase Change Random Access Memory：PCRAM）はPCMを用いたデバイスであり、その優れた性能から次世代メモリとして注目されている。
PCRAMの短所として、スイッチングに要するエネルギー消費量が大きい点が挙げられる。
本研究では、低動作エネルギーのPCRAMの創出を目指し、Mo-Nの相変化挙動を調査することを目的とする。