[16p-C32-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[16p-C32-3] Crystallization of amorphous silicon films by Flash Lamp Annealing on polycrystalline Si formed by AIC

〇(M2)Baitong Li¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:

FLA

AICで形成した多結晶poly-Si膜層上でのa-Si膜のFLAによる結晶化を試みた。プレヒート温度300–500 ℃でFLAを行うことで結晶化することを確認した。また、FLAによるSi膜の顕著な剥離が無いことも明らかにした。これらの結果は、FLAでのa-Siの結晶化における、AIC poly-Si層の種結晶層としての利用可能性を示唆する。