[16p-C32-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

13:45 〜 14:00

[16p-C32-3] AICで形成した多結晶poly-Si膜層上でのアモルファスシリコン膜のフラッシュランプアニールによる結晶化

〇(M2)李 柏同¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：

フラッシュランプアニール

AICで形成した多結晶poly-Si膜層上でのa-Si膜のFLAによる結晶化を試みた。プレヒート温度300–500 ℃でFLAを行うことで結晶化することを確認した。また、FLAによるSi膜の顕著な剥離が無いことも明らかにした。これらの結果は、FLAでのa-Siの結晶化における、AIC poly-Si層の種結晶層としての利用可能性を示唆する。