[16p-P02-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[16p-P02-1] Comparison of precursor gases on etching resistivity of hydrogenated amorphous carbon films using C_xH_y + Ar plasma CVD

〇(D)Shinjiro Ono¹, Manato Eri¹, Takamasa Okumura¹, Naoto Yamashita¹, Kunihiro Kamataki¹, Haruki Kiyama¹, Naho Itagaki¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:

cumene,etching,amorphous carbon

本研究では、容量結合型プラズマCVD装置を使用し、クメン（C₉H₁₂）を用いて堆積した水素化アモルファスカーボン膜のエッチング耐性を、従来のメタンやアセチレンを用いた膜と比較した。エッチングレートならびに機械的特性を評価した結果、クメン膜は従来材料と同等のエッチング耐性を示し、膜応力が低く、厚膜化が容易でエッチングプロセスに有利であることが示された。