[16p-P02-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[16p-P02-1] C_xH_y+Ar プラズマ CVD を用いた水素化アモルファスカーボン膜の エッチング耐性に対する材料分子の比較

〇(D)小野 晋次郎¹、恵利 眞人¹、奥村 賢直¹、山下 尚人¹、鎌滝 晋礼¹、木山 治樹¹、板垣 奈穂¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九大シス情)

キーワード：

クメン、エッチング、アモルファスカーボン

本研究では、容量結合型プラズマCVD装置を使用し、クメン（C₉H₁₂）を用いて堆積した水素化アモルファスカーボン膜のエッチング耐性を、従来のメタンやアセチレンを用いた膜と比較した。エッチングレートならびに機械的特性を評価した結果、クメン膜は従来材料と同等のエッチング耐性を示し、膜応力が低く、厚膜化が容易でエッチングプロセスに有利であることが示された。