[16p-P02-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[16p-P02-6] Nucleation Control of MoS₂ Synthesis by Fluorine-Terminated Si Substrate

〇(M1)Ryotaro Kito¹, Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:

molybdenum disulfide,sulfur hexafluoride mixed gas plasma,CVD

単層二硫化モリブデン(MoS₂)は、直接遷移型バンド構造と高い電子移動度から電子デバイス応用が期待される。しかし、MoS₂の電子移動度は結晶粒界で低下する。結晶粒界の低減には、MoS₂の核形成密度制御およびドメインサイズの拡大が必要となる。本研究では、SF₆混合ガスプラズマを用いてフッ素終端したSi基板上でMoS₂をCVD合成し、基板表面のフッ素が核形成密度、ドメインサイズに与える影響を考察した。