[16p-P02-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[16p-P02-6] フッ素終端Si基板によるMoS₂合成の核形成抑制

〇(M1)鬼頭 怜太郎¹、荻野 明久¹ (1.静大院工)

キーワード：

二硫化モリブデン、六フッ化硫黄混合ガスプラズマ、化学気相成長

単層二硫化モリブデン(MoS₂)は、直接遷移型バンド構造と高い電子移動度から電子デバイス応用が期待される。しかし、MoS₂の電子移動度は結晶粒界で低下する。結晶粒界の低減には、MoS₂の核形成密度制御およびドメインサイズの拡大が必要となる。本研究では、SF₆混合ガスプラズマを用いてフッ素終端したSi基板上でMoS₂をCVD合成し、基板表面のフッ素が核形成密度、ドメインサイズに与える影響を考察した。