[16p-P02-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[16p-P02-8] Ion Bombardment Resistance of Hydrogen Terminated Diamond Cathodes

〇Jotaro Tashiro¹, Shigeya Kimura², Hisao Miyazaki², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:

glow discharge,ion bombardment

水素終端ダイヤモンド薄膜表面は電子親和力が低いため、二次電子放出による放出電流の高密度化が期待できる。しかし、ダイヤモンド薄膜表面へのイオン衝突や表面温度の上昇により、表面の水素が脱離し、放出電流が減少する。本研究では、ダイヤモンド薄膜基板を陰極として生成したグロー放電中のイオンを陰極表面へ照射し、ダイヤモンド薄膜のイオン衝突耐性と放電電流の関係を評価した。