[16p-P02-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[16p-P02-8] 水素終端ダイヤモンド陰極のイオン衝突耐性

〇田代 承太郎¹、木村 重哉²、宮崎 久生²、荻野 明久¹ (1.静大院工、2.(株) 東芝研究開発センター)

キーワード：

グロー放電、イオン衝突

水素終端ダイヤモンド薄膜表面は電子親和力が低いため、二次電子放出による放出電流の高密度化が期待できる。しかし、ダイヤモンド薄膜表面へのイオン衝突や表面温度の上昇により、表面の水素が脱離し、放出電流が減少する。本研究では、ダイヤモンド薄膜基板を陰極として生成したグロー放電中のイオンを陰極表面へ照射し、ダイヤモンド薄膜のイオン衝突耐性と放電電流の関係を評価した。