[16p-P02-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[16p-P02-9] Cryogeonic oxidation of Si and Ge substrates using Ar/O2 DC discharge plasma irradiation

〇Yuya Yamamoto¹, Koudai Kato¹, Tetsuya Sato¹, Youhei Outani² (1.Yamanasi Univ., 2.Suwa Univ of Sci.)

Keywords:

Cryogenic temperature,Al2O3,oxidation

本研究では、SiおよびGe基板を極低温（20～130K）でO₂/Ar直流放電プラズマ照射による酸化についてin-situ SE,in-situ FT-IR,XPSを用いて計測を行った。40Kで最大の酸化レート（3.3nm）を観測し、温度依存性が確認された。酸化レートは40Kで最大となり、それ以下の温度で減少した。