[16p-P02-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[16p-P02-9] Ar/O₂直流放電プラズマ照射によるSiとGe基板の極低温酸化

〇山本 悠矢¹、加藤 広大¹、佐藤 哲也¹、王谷 洋平² (1.山梨大、2.諏訪東京理科大)

キーワード：

極低温、Al₂O₃、酸化

本研究では、SiおよびGe基板を極低温（20～130K）でO₂/Ar直流放電プラズマ照射による酸化についてin-situ SE,in-situ FT-IR,XPSを用いて計測を行った。40Kで最大の酸化レート（3.3nm）を観測し、温度依存性が確認された。酸化レートは40Kで最大となり、それ以下の温度で減少した。