[17a-B1-1~7] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[17a-B1-1] Stress dependence of cantilever type a-InGaZnO TFTs

〇Shinnosuke Iwamatsu^1,2, Takashi Mineta² (1.Yamagata Res. Inst. Tech., 2.Yamagata Univ.)

Keywords:

a-InGaZnO TFT,MEMS,cantilever

アモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛酸化物薄膜トランジスタ（a-InGaZnO TFT）のセンサ応用が進められている。a-InGaZnOの外部電界に対する感受性を活用したpHセンサ，ガスセンサなどが開発されているが，MEMS構造体を活用したセンサの報告例は少ない。本研究では，a-InGaZnO TFTとMEMS構造体の融合を目的として，a-InGaZnO TFTを単結晶Siカンチレバー構造体の上に形成するプロセスを検討し，外部応力がTFT特性の与える影響を評価した。