[17a-B1-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:00 〜 9:15

[17a-B1-1] カンチレバー構造a-InGaZnO TFTの応力依存性評価

〇岩松 新之輔^1,2、峯田 貴² (1.山形県工技セ、2.山形大学工学部)

キーワード：

インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物薄膜トランジスタ、微小電気機械システム、カンチレバー

アモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛酸化物薄膜トランジスタ（a-InGaZnO TFT）のセンサ応用が進められている。a-InGaZnOの外部電界に対する感受性を活用したpHセンサ，ガスセンサなどが開発されているが，MEMS構造体を活用したセンサの報告例は少ない。本研究では，a-InGaZnO TFTとMEMS構造体の融合を目的として，a-InGaZnO TFTを単結晶Siカンチレバー構造体の上に形成するプロセスを検討し，外部応力がTFT特性の与える影響を評価した。